英諾賽科（02577.HK）雙喜臨門背後的盈虧賽跑

ZC Asia獲悉，12月3日，英諾賽科（02577.HK）在美國國際貿易委員會（ITC）與英飛淩的專利訴訟案中取得了階段性勝利，兩項涉案專利中，英諾賽科被裁定一項完全不侵權，另一項的規避設計方案也判定為不侵權。

同一天，公司還與安森美半導體高調宣佈達成戰略合作，共同推進氮化鎵在新能源汽車、AI等領域的應用。

但對於一家核心指標仍為虧損的半導體公司而言，法律障礙的掃清與產業巨頭的攜手，能否真正轉化為可持續的盈利，仍是懸在頭頂的疑問。

增長顯著但虧損依舊

2025年上半年，英諾賽科實現銷售收入5.53億元，同比增長43.4%。這是公司連續多年保持的高速增長態勢。而毛利率從去年同期的-21.6%提升至+6.8%，這是公司首次錄得毛利為正。

毛利率的改善主要得益於產品結構的優化和工藝平臺迭代。氮化鎵模組業務收入達2.36億元，同比增長121.7%，而技術含量較低的氮化鎵晶圓收入卻下降了22.2%。

儘管如此，英諾賽科仍然面臨巨大的虧損壓力。2025年上半年淨虧損4.28億元，雖然比去年同期的4.88億元有所收窄，但虧損額仍然巨大。

截至2025年6月30日，英諾賽科的現金及現金等價物為14.25億元，但貸款及借款總額高達24.95億元，半年度內新增貸款5.71億元。

儘管公司流動比率從2024年底的2.5倍提升至3.2倍，但淨負債比率從去年底的13.4%上升至40%。

資金壓力主要體現在兩個方面：一方面，經營活動現金流持續為負，2024年為-3.36億元，2025年上半年為-3.87億元；另一方面，公司需要大量資本投入維持技術領先和市場擴張。

高費用支出是另一大問題。2025年上半年，公司銷售、管理和財務三項費用占營收比例高達54.1%。特別值得注意的是，研發投入占比接近30%，達到1.62億元，同比增長11.5%。

技術與競爭的平衡難題

英諾賽科所處的氮化鎵半導體行業面臨兩個核心挑戰：技術可靠性和成本問題。

尤其是在工業和汽車領域，對器件的壽命和抗干擾能力要求更高。同時，儘管工藝優化降低了部分成本，氮化鎵產品與傳統矽器件相比仍有成本差距。

公司需要擴大生產規模、完善供應鏈來進一步降低成本。作為行業內首家實現8英寸矽基氮化鎵晶圓量產的公司，英諾賽科的技術領先地位為其贏得了一定的市場空間。

但隨著國際半導體巨頭紛紛佈局氮化鎵市場，競爭正在加劇。

隨著氮化鎵技術逐步從消費電子延伸至對可靠性要求更高的汽車與工業領域，英諾賽科的技術領先優勢能否轉化為持續盈利的商業成果，仍是其面臨的核心考題。

免責聲明：本文內容僅供參考，不構成任何投資建議。文中資訊如存在不准確、不完整或可能產生誤導之處，請以公司官方公告為准。市場有風險，投資需謹慎。